Принципиальная схема включения оптотиристора

Импульс (сигнал) тока светодио-да с крутым передним фронтом гарантирует одновременность включения всей полупроводниковой структуры. Буферный слой силовых полупроводников улучшает характеристики традиционных элементов за счёт снижения их толщины на 30% при том же прямом пробивном напряжении. Определение «полностью управляемый» означает только то, что все шесть основных вентилей трехфазного моста выполняются управляемыми. В жизни каждого умного дома возникает закономерный вопрос – как маленький нежный микроконтроллер своими пятью вольтами сможет коммутировать 220 вольт переменного тока?Самый простой вариант – реле. Драйвер оптотиристора, как и обычного тиристора, должен быть источником тока iFG требуемой формы, поступающего в цепь светодиода (цепь управления). В этом случае напряжение uFG между управляющими выводами светодиода является функцией полного входного сопротивления оптотиристора по цепи управления.

Иногда, правда, это достоинство неожиданно превращается в недостаток, особенно если вы хотите сделать свою комнату уютной, создать ощущение комфорта, а для этого так важно удачно подобрать освещение. При выполнении одной из групп на диодах или на управляемых вентилях, но без фазового регулирования, получаем т.н. полууправляемый трехфазный мостовой выпрямитель. В качестве силовых управляемых вентилей в схеме Ларионова можно использовать оптронные тиристоры. Оптронные тиристоры, в силу специфики конструкции, занимают промежуточное положение между фототиристорами и обычными тиристорами с управляющим электродом. Нетрудно догадаться, что наш прибор регулирует мощность, потребляемую нагрузкой, изменяя тем самым яркость свечения лампы или температуру нагревательного элемента. В устройстве можно применить следующие элементы.
Здесь последний слой на симисторе отвечает за полярность напряжения. Он контролирует напряженность на контактах и сравнивая её, переправляет ток на определенный тринистор. Дырки инжектируются из области p1, а электроны — из области n2, и структура n1-p2-n2 ведёт себя аналогично насыщенному транзистору с удалённым диодным контактом к области n1. Следовательно, прибор в целом аналогичен p-i-n (p+-i-n+)-диоду. Однако на практике для того, чтобы все структуры выключаемого тиристора постоянно находились в проводящем состоянии, всё же необходимо поддержание тока, предусмотренного для данного температурного режима. Это во многих случаях ограничивает и усложняет использование тиристоров. Эти требования выполняет высокомощный диод в прижимном корпусе с улучшенными характеристиками, произведённый с использованием процесса облучения в сочетании с классическими процессами. Поэтому, также существенно снижена стоимость блока управления и интенсивность отказов. IGCT, с его интегрированным управляющим блоком, легко фиксируется в модуле и точно соединяется с источником питания и источником управляющего сигнала через оптоволокно.

Похожие записи: